L'éthylsilicate (TEOS) est utilisé comme matière première utilisée dans le dépôt de la technologie des semi-conducteurs peut être utilisé pour le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD) la surface de la silice dans les dépôts de plaquettes SiC, assurer la densité du milieu de la couche d'oxyde et la capacité d'adhérence des plaquettes SiC, améliorer les performances de l'appareil et le rendement, et éviter afin d'obtenir une certaine épaisseur de couche d'oxyde des défauts d'oxydation à haute température de longue durée.
Le TEOS est obtenu par estérification du tétrachlorure de silicium et de l'éthanol à température et pression normales.
TEOS teinté par adsorption, distillation et filtration. Jin Hong a conclu une coopération stratégique avec de grandes sociétés de semi-conducteurs et peut fournir plus de 1,200 XNUMX tonnes de TEOS de qualité électronique chaque année.
| Produit | TÉOS |
| N ° CAS. | 78-10-4 |
| Purity | ≥99.9% |
TEOS peut être utilisé pour le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD) de la surface de la silice dans les dépôts de tranches de SiC.
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